HNVTFS5826NLTWG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该N沟道场效应管（MOSFET）具有40安培的最大连续漏极电流（ID）和60伏的最大漏源电压（VDSS），适用于高效率的开关应用。其导通电阻（RDON）仅为12毫欧，在大电流应用中能保持较低的发热水平。该MOSFET支持最高20伏的栅源电压（VGS），确保了宽范围的驱动兼容性。此元件广泛适用于电源管理、电池充电控制及各类电子设备中的信号放大与开关功能。
