HSNN1000L10D_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大连续漏极电流（ID）和100V的漏源击穿电压（VDSS），能够承受较高的工作电压和电流。其导通电阻（RDS(on)）仅为80mΩ，在大电流应用中可以有效减少发热，提高效率。该MOSFET的栅极阈值电压（VGS）为20V，确保了在高电压条件下稳定的工作性能。适用于开关电源、电机控制等高效率转换场景。
