HNTTFS4824NTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有60安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极耐压，适合要求苛刻的应用环境。其极低的4毫欧导通电阻有效减少了工作时的能耗与发热，提高了整体效率。该MOSFET支持最高±20伏特的栅源极电压，确保了广泛的应用兼容性。适用于电源转换、电池管理系统及各类需要快速响应和高效率的电子设备中。
