HNTTFS4821NTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:45A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备45安培的最大连续漏极电流和30伏特的漏源极击穿电压，确保了其在高功率密度应用中的稳定表现。其导通电阻仅为6毫欧，在确保高效能的同时降低了热损耗。该MOSFET的栅源极电压范围为±20伏特，支持广泛的电路设计需求。适用于各种需要高效开关性能和低功耗的电子产品中，如电源转换、电池管理以及信号调节等。
