HFQD13N10LTM_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:12A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:95mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有卓越的电气性能，适用于广泛的电子项目中。其最大漏极电流ID为12A，最高漏源电压VDSS达100V，确保了在高压环境下的可靠运行。导通电阻RDON仅为95mΩ，有效降低了工作时的功率损耗。支持的最大栅源电压VGS为20V，提供了灵活的驱动选项。该MOSFET适用于电源供应、逆变器、电池管理系统以及各种开关电路中，是追求高性能与低功耗设计的理想选择。
