HNVATS4A103PZ_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:9.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，其最大漏极电流（ID/A）可达50A，最大漏源电压（VDSS/V）为30V，导通电阻（RDON/mR）仅为9.5mΩ，且支持的最大栅源电压（VGS/V）为25V。该元件适用于需要高效能开关操作的应用场合，如电源管理、电池保护电路以及各种便携式电子设备中的信号处理等，能够确保在高频率和大电流条件下稳定运行，同时降低能耗，提高系统效率。
