HFDS6679_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:15A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:5.8mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此P沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气性能，最大漏极电流ID为15A，最大漏源电压VDSS达到30V，导通电阻RDON低至5.8mΩ，且在VGS为20V时表现优异。这些特性使得该MOSFET特别适合用于高效能的开关电路和电源转换应用中，能够有效降低能耗，提升系统的稳定性和效率。其小巧的尺寸设计也便于在多种电子设备中实现灵活布局，满足不同应用场景的需求。
