HIRF9358TRPBF_SOP-8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOP-8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:11A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:14mR 参数4：沟道类型:P+P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款场效应管（MOSFET）采用PP沟道设计，具备11A的连续漏极电流能力，最大漏源电压可达30V。其导通电阻仅为14mΩ，在20V的栅源电压下表现出色。该器件适用于需要高效能与低损耗的应用场景，如电源管理、信号放大及各类电子开关电路中，能够提供稳定可靠的性能表现。
