HBUK721955A118_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:50A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:15mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有强大的电气参数，最大漏极电流（ID/A）为50A，最大漏源电压（VDSS/V）高达60V，导通电阻（RDON/mR）仅为15mΩ，支持的最大栅源电压（VGS/V）为20V。该器件适用于需要高效、快速切换的应用场景，如电源适配器、充电器以及各类电子设备中的直流转换电路，可显著减少功率损耗，提高能源利用效率，同时保证系统的稳定性和可靠性。
