HNVTFS5C680NLTAG_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:24mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET），具备20A的最大连续漏极电流（ID）与60V的漏源极间耐压（VDSS）。其导通电阻（RDON）仅为24毫欧，在确保高效能的同时，有效降低了功率损耗。该器件支持最高20V的栅源电压（VGS），确保了宽泛的工作条件下的稳定性能。适用于各类电源转换、信号调节及开关控制电路中，能够满足对效率与可靠性有高要求的应用需求。
