HAM7440N_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:40A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:11mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款N沟道场效应管（MOSFET）拥有40A的连续漏极电流容量和40V的最大漏源电压，其导通电阻低至11mΩ，在20V的栅源电压下表现尤为突出。该器件适用于多种高效率电力转换和控制应用场景，如电源供应器、逆变器和各类需要快速响应与低功耗特性的电子设备。其卓越的导电性能和低热损耗特点，使得在紧凑型设计中也能保持高性能运行。
