HSTD20P3H6AG_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:36mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）设计用于要求高性能和可靠性的应用。它支持最大漏极电流ID为20A，拥有30V的击穿电压VDSS，以及在VGS=25V时仅为36mΩ的导通电阻RDON。这些特性使得该MOSFET特别适合于需要快速开关响应和低损耗的电路设计。无论是电源管理还是信号处理，这款MOSFET都能提供卓越的效率和稳定性，确保在各种应用场景中实现精确控制。
