HMCAC10H03ATP_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有卓越的电气性能，支持的最大连续漏极电流为150A（ID/A），最高耐压达到30V（VDSS/V）。其导通电阻仅为2mR（RDON/mR），显著降低了功率损耗，提高了整体效率。该MOSFET可以承受最高20V（VGS/V）的栅源电压，确保了在广泛的应用场景中稳定运行。适用于各种电源管理、信号处理及电子开关应用，能够有效提升系统的性能与可靠性。
