HBSC025N03MSG_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:150A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:2mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
该款N沟道场效应管（MOSFET）具备出色的电气性能，最大可承受连续漏极电流150A（ID/A），最高耐压可达30V（VDSS/V）。其导通电阻仅为2mR（RDON/mR），确保了低损耗和高效能。工作电压范围宽广，支持最高20V（VGS/V）的栅源电压，适用于多种电路设计需求。这款MOSFET适用于电源管理、电池充电控制以及开关电源等应用场景，能够提供稳定可靠的性能表现。
