HSi2377EDST1GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管（MOSFET）拥有4.2A的最大连续漏极电流（ID）和20V的最大漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDON）为48毫欧，在12V栅源电压（VGS）条件下表现出色。该MOSFET适用于多种电路设计，如电源管理、电池保护以及电子设备中的开关应用。其低导通电阻有助于减少功率损耗，提高整体系统的效率和稳定性。
