AO3401B-HXY_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.2A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:48mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款P沟道MOSFET具备4.2A的连续漏极电流（ID）与30V的漏源极耐压（VDSS），确保了其在高功率密度应用中的稳定性能。该元件的导通电阻（RDON）仅为48mΩ，在12V栅源电压（VGS）下工作时，能有效减少热损耗，提高效率。适用于电源管理、电池保护及开关控制等电路设计，是实现高效、紧凑解决方案的理想选择。
