UF3C065040K4S-HXY_TO-247-4L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:45mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
ID:49A是一款采用先进碳化硅技术的N沟道场效应管(MOSFET)，具有650V的漏源击穿电压(VDSS)，适用于高效率能量转换应用。其导通电阻(RDON)仅为45毫欧姆，确保了低损耗和高效能。该器件的最大栅极-源极电压(VGS)为-4/!8V，保证了宽范围的操作稳定性和兼容性。凭借其卓越的开关性能和耐用性，ID:49A非常适合于需要高可靠性和性能的电源管理系统中，如高频开关电源等场合。
