IMBG120R090M1HXTMA1-HXY_TO-263-7L_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-263-7L 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：800/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
此款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）型号ID:30A，具备1200V的漏源击穿电压VDSS，确保在高电压环境下的稳定性。其导通电阻RDON为75mΩ，在减少能量损耗方面表现出色，特别适用于高效能电力转换系统。栅源电压VGS范围从-4V到!8V，使得它在各种驱动条件下都能稳定工作。该产品凭借其优异的开关性能和低能耗特性，非常适合应用于高性能电源管理及转换解决方案中，是提升设备效能的理想选择。
