SUD20N10-66L-GE3_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:20A 参数2：电压VDSS:100V 参数3：RDON:80mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）具有20A的最大工作电流（ID），能够承受高达100V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为80毫欧，适合在栅源电压（VGS）不超过20V的应用环境中工作。凭借这些特性，此MOSFET适用于多种电子设备中的电源路径控制，如家用电器内部的电源管理系统、电池供电装置的负载开关，以及通信设备中的电压转换电路，能够有效提升系统的整体效率并减少能量损失。
