UPA2815T1S-E2-AT_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:48A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:7.5mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款P沟道场效应管支持48A的连续漏极电流，适用于需要处理较大电流的应用场景。其漏源电压为20V，导通电阻仅为7.5毫欧姆，确保了低功耗和高效率。栅源电压范围为12V，提供了可靠的开关性能。此MOSFET特别适合于电源管理、负载切换及信号路径控制等场合，在消费电子设备以及其他要求高性能与紧凑设计的领域中表现优异。
