UM6K31NFHATCN_SOT-363_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-363 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:0.1A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:1300mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道场效应管（MOSFET）拥有0.1A的漏极电流（ID），并支持最高60V的漏源电压（VDSS）。其导通电阻（RDSON）为1300毫欧，在20V的栅源电压（VGS）条件下工作。该MOSFET适合应用于需要精细电流控制的场合，例如在消费类电子产品中的电源管理、便携装置内的开关控制以及需要高电压低电流操作的设备中，能够提供稳定的性能表现。
