IMW65R057M1HXKSA1_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:29A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:60mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款N沟道碳化硅场效应管（MOSFET）设计有29A的最大导通电流（ID/A），并在断态下能承受高达650V的电压（VDSS/V）。其导通状态下的电阻（RDSON/mΩ）为60毫欧姆，在确保低能耗的同时，提供了高效的电流管理能力。栅源极间电压（VGS/V）的最大容许值为15V，有助于精确控制器件的开关状态。该MOSFET适用于高频开关应用及需高电压处理能力的电力转换解决方案中，如高性能的逆变技术和电源供应单元，可增强系统的稳定性和响应速度。
