IRLML6401TRPBF_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:5A 参数2：电压VDSS:20V 参数3：RDON:35mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管（MOSFET）属于P沟道类型，其连续电流（ID）为5安培，最大漏源电压（VDSS）为20伏特，适用于低压直流电路中的信号控制或电源管理。该器件具有35毫欧姆的导通电阻（RDON），在导通状态下的能量损耗较低，适合用于电子设备中的负载开关、电源路径管理和逻辑电平转换等应用场景，提供精确的电流调节与高效的电力传输特性。
