C3M0021120D_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:81A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:21mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款碳化硅场效应管（MOSFET），型号ID为81A，具备1200伏特的最大漏源电压（VDSS），能够在高压环境下稳定工作。其N沟道设计允许电流从漏极流向源极，适用于需要高效能转换的应用。此MOSFET的导通电阻（RDON）仅为21毫欧姆，在导通状态下损耗低，有助于提高系统效率。适用于要求严苛的电源管理领域，如高性能电源转换器、太阳能逆变器以及其他需要高频率操作和低热耗散的设计中。
