IGLD60R190D1_DFN8X8_氮化镓晶体管(GaN HEMT)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：氮化镓晶体管(GaN HEMT) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款氮化镓晶体管为N型，电流为10A，电压650V。适用于多种电子产品领域，能在较高电压下稳定工作，承载一定电流。具有高效、低损耗等特点，可提升电子产品的性能和稳定性，满足特定功率需求场景。
