IPD042P03L3 G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:120A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:3.7mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管为P型，电流高达120A，可承载较大功率。电压为30V，适用于多种常见电路场景。内阻典型值3.7mR，能有效降低能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可满足对电流和电压有特定要求的电子设备。
