NVD5863NLT4G_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:80A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:6mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此场效应管为N型，电流80A，可适应较大功率需求。电压60V，能在多种常见电路中稳定运行。内阻典型值6mR，有效减少能量损耗。VGS为20V。在消费电子领域，可用于对电流和电压有特定要求的电子设备中。
