SI2308CDS-T1-GE3_SOT-23_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:3A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:72mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
这款N型场效应管具有出色的性能参数：最大承受电流高达3A，额定电压为60V，内阻典型值为72mR，栅源极电压VGS为20V。适用于多种应用场景，如电源管理、信号放大及开关控制等，确保系统稳定运行。低内阻使其在导通时损耗低，提高能效。高可靠性与稳定性满足各类需求，助力提升整体系统性能。
