SSM3J334R,LF(T_SOT-23-3L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：SOT-23-3L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：3000/圆盘 参数1：电流ID:4.1A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:42mR 参数4：沟道类型:P 标价：欢迎咨询
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产品介绍
这款场效应管采用P型设计，适用于多种应用场景。其关键参数包括：电流能力高达4.1A，承受电压可达30V，内阻典型值为42mR，栅源极电压VGS为20V。该元器件具有优异的性能和稳定性，可确保在各种工作环境下提供可靠的性能表现，适合用于电源管理、信号放大等多种电子设备中。
