HXY30HS03DF_DFN3X3D-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3D-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:30A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:8.8mR 参数4：沟道类型:N+N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
此款NN沟道场效应管（MOSFET）设计用于高效能电源管理应用。它具有30A的连续漏极电流ID，适用于处理高负载电流的需求。VDSS电压为30V，确保在多数低压电路中提供足够的安全边际。导通电阻RDON仅为8.8毫欧姆，有助于降低功耗和提高效率。栅源电压VGS为20V，能够兼容多种驱动电路的设计要求。双N沟道结构使得该元件非常适合需要同步整流或并联操作的应用场景，以实现更加紧凑和高效的电源解决方案。
