NTTFS015N04CTAG-HXY_DFN3X3-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN3X3-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:40V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有以下主要参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为40V，导通电阻RDON低至12mΩ，栅源电压VGS为±20V。该器件采用高性能硅工艺，具备较低的导通损耗和高效的开关特性，适用于电源管理、DC-DC转换器、负载开关以及各类高密度电源系统中。其封装设计便于散热与集成，可在多种高要求电路环境中稳定工作，提供可靠的能量传输表现。
