HUF75332P3-HXY_TO-220C_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-220C 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：50/管装 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:12mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备以下关键参数：最大漏极电流ID为60A，漏源击穿电压VDSS为60V，导通电阻RDON仅为12mΩ，栅源电压VGS支持最高20V。该器件适用于多种高功率密度电路设计，如电源管理、电机驱动、开关电源及电池管理系统，具备快速开关响应和低导通损耗特性，满足高频应用场景对稳定性和效率的严苛要求，是构建高性能电子系统的关键元件。
