DMTH6004SK3Q-13-HXY_TO-252-2L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-252-2L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:130A 参数2：电压VDSS:60V 参数3：RDON:3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具有130A的连续漏极电流（ID）和60V的漏源击穿电压（VDSS），适用于较高功率密度的应用场景。导通电阻（RDON）低至3mΩ，可显著减少导通损耗，提升整体能效。支持最高20V栅源电压（VGS），确保器件在多种工作条件下稳定运行。该MOSFET适合用于高性能电源系统、同步整流、电池管理系统及各类高效能转换电路中，满足对效率与可靠性有较高要求的设计需求。
