IPZA60R037P7-HXY_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道增强型场效应管（MOSFET），具备优异的性能参数，适用于多种高效率电源管理系统。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至33mΩ，可有效降低导通损耗并提升系统效率。器件采用先进工艺制造，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于开关电源、DC-DC转换器、逆变器及各类电力电子设备中的高频开关应用。
