STW70N65DM6-4-HXY_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有出色的电性能和高可靠性，适用于多种电源管理与功率转换场景。其漏源电压VDSS为650V，支持较高电压环境下稳定运行；漏极电流ID可达49A，满足大电流应用需求；导通电阻RDON低至33mΩ，有助于降低损耗并提升整体效率。器件适用于开关电源、逆变器、DC-DC转换器以及各类高效能电子设备中的高频开关电路，具备良好的热稳定性和耐压能力，可有效保障系统长时间运行的稳定性与安全性。
