NTH4LN040N65S3H-HXY_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具备优异的高压大电流特性，适用于多种功率转换与电源管理应用。其漏源电压VDSS为650V，支持在较高电压条件下稳定工作；漏极电流ID可达49A，能够满足对电流承载能力有较高要求的电路设计；导通电阻RDON低至33mΩ，有助于减少导通损耗并提升系统效率。该器件适合用于开关电源、DC-DC变换器、逆变设备及高性能电子装置中的高频开关电路，具有良好的热稳定性与长期运行可靠性。
