GAN041-650WSBQ-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具有高性能开关与导通能力，适用于多种高功率电子系统。其漏源电压（VDSS）为650V，支持高压环境下的稳定运行；最大漏极电流（ID）可达49A，满足较大功率输出需求。导通电阻（RDON）低至33mΩ，有助于降低能耗并提升效率。器件适用于各类电源变换装置、高效能电机驱动、储能管理系统及高频电子设备中的开关控制电路，提供可靠且高效的性能表现。
