STW70N65DM6-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本N沟道场效应管（MOSFET）具备高电压和大电流承载能力，适用于多种高效功率管理系统。其漏源耐压VDSS为650V，最大连续漏极电流ID达49A，导通电阻RDON仅为33mΩ，有助于降低功耗并提升整体效率。器件采用优化的结构设计，具备良好的热稳定性和可靠性，适用于高性能电源、通信设备、计算平台以及新能源技术中的开关控制与电能转换应用。
