FCHD040N65S3-F155-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能指标，适用于高功率应用场景。其漏源电压VDSS可达650V，最大漏极电流ID为49A，导通状态下的源漏电阻RDON低至33mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。器件结构设计优化，具备良好的热稳定性和耐用性，适用于高性能电源转换设备、通信基础设施、服务器供电系统以及新能源相关技术中的开关与整流应用。
