NVHL040N65S3F-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高性能与高可靠性的特点，适用于多种电源管理及功率控制场合。其主要参数为：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS为650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在较高电压和电流条件下实现稳定工作。器件设计优化，支持高频开关操作，广泛用于电源转换器、充电设备、储能系统以及各类电子装置中的功率控制单元，满足高效能与低损耗的应用需求。
