NVH040N65S3F-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）采用高性能工艺设计，具备优良的导电能力和稳定性。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS达650V，导通电阻RDON低至33mΩ，能够在高电压和大电流环境下实现高效运行。器件结构优化，适用于电源转换、充电控制、能源管理等各类电子系统中的高频开关应用，满足对效率与可靠性有较高要求的设计场景。
