NVHL040N65S3HF-HXY_TO-247_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的性能和可靠性，适用于多种高效电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为49A，漏源电压VDSS高达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，确保了在高负载条件下的稳定运行与低功耗表现。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和耐压能力，适合用于高频率开关电源、功率转换器以及各类精密电子设备中的功率控制单元。
