NTH4L027N65S3F-HXY_TO-247-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:97A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:25mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道场效应管（MOSFET），具备高电流承载能力和优异的导电效率。其最大漏极电流ID可达97A，漏源电压VDSS支持650V，导通电阻RDON低至25mΩ，有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件适用于高频开关电源、电力转换系统、新能源设备及精密电子控制电路等应用领域，在高负载与高效率要求的场景中表现出色，满足多样化电力管理需求。
