IMW65R030M1HXKSA1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具有优异的导电性能与高效的开关特性。其漏极电流ID可达49A，漏源电压VDSS最高支持650V，导通电阻RDON低至33mΩ，适用于高频率、高效率的电力转换场景。该器件基于碳化硅材料，具备良好的热稳定性和耐高压能力，适合用于电源适配器、光伏逆变系统、储能设备及高性能电机控制等领域的功率管理应用。
