NTHL045N065SC1-HXY_TO-247_碳化硅场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247 类别：碳化硅场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:49A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:33mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本产品为N沟道碳化硅场效应管（MOSFET），具备高耐压与低导通电阻特性。其最大漏极电流ID为49A，漏源击穿电压VDSS达650V，导通电阻RDON仅为33mΩ，可实现高效、低损耗的电力传输。碳化硅材料的应用提升了器件在高频与高温环境下的稳定性与可靠性。该MOSFET适用于电源转换装置、新能源发电系统、储能设备以及精密电子控制模块等场景，满足对功率密度和能效有较高要求的应用需求。
