FCMT125N65S3-HXY_DFN8X8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:17A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:100mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有650V漏源电压（VDSS）和17A连续漏极电流（ID）能力，适用于中高功率电源转换场景。导通电阻（RDON）为100mΩ，有助于降低导通损耗，提升系统效率。器件结构稳定，具备良好的热性能与可靠性，适合用于开关电源、DC-DC转换器、LED驱动电路、电机控制模块以及其他中高压电子设备中，满足多种应用场景下的性能需求。
