SIRA14DP-T1-GE3-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有优异的导通性能与开关特性，适用于多种高效能电源管理系统。其主要参数包括：漏极电流ID为60A，漏源电压VDSS为30V，导通电阻RDON低至4.3mΩ，能够有效降低功率损耗并提升系统效率。该器件采用先进工艺制造，具备良好的热稳定性和可靠性，适合应用于高密度电源转换、同步整流、负载开关及电池管理等场景，为电路设计提供灵活而高效的解决方案。
