IPL65R195C7-HXY_DFN8X8_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN8X8 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：2500/圆盘 参数1：电流ID:10A 参数2：电压VDSS:650V 参数3：RDON:160mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备10A连续漏极电流（ID）和650V漏源耐压（VDSS），可满足较高功率场景的需求。导通电阻（RDON）为160mΩ，有助于降低能量损耗并提升整体效率。该器件适用于电源转换、开关电路、电机控制以及高性能电子设备中的功率管理模块，具备良好的热稳定性和快速响应特性，适合对效率与可靠性有较高要求的设计应用。
