NTMFS4C09NT1G-HXY_DFN5X6-8L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：DFN5X6-8L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：5000/圆盘 参数1：电流ID:60A 参数2：电压VDSS:30V 参数3：RDON:4.3mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
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产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具有60A的连续漏极电流（ID）和30V的漏源击穿电压（VDSS），适用于中低电压高电流应用场景。其导通电阻（RDON）低至4.3mΩ，有效降低导通损耗并提升系统效率。该器件适合用于电源管理模块、电池供电设备、DC-DC转换器及电机驱动电路等场合，具备良好的热稳定性和快速开关响应能力，可满足对效率与可靠性有较高要求的电子设计方案。
