SCT3080KRC14-HXY_TO-247H-4L_场效应管(MOSFET)_HXY MOSFET(华轩阳电子)
品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子) 封装：TO-247H-4L 类别：场效应管(MOSFET) 最小包装：30/管装 参数1：电流ID:32A 参数2：电压VDSS:1200V 参数3：RDON:75mR 参数4：沟道类型:N 标价：欢迎咨询
分享到
产品介绍
本款N沟道场效应管（MOSFET）具备高耐压与低导通电阻特性，适用于多种高效能电力电子应用。其主要参数包括：漏极电流ID为32A，漏源击穿电压VDSS高达1200V，导通电阻RDON为75mΩ，能够在高压环境下实现较低的功率损耗。该器件具备良好的热稳定性和耐用性，适合用于开关电源、逆变器、高精度电机控制电路以及各类中高功率转换系统中，适用于对电气性能和可靠性有较高要求的设计场景。
